Cours et formation : Le MOSFET, caractéristiques, utilisation, essais. Un mot sur les IGBT

Info pratique,
Vous pouvez obtenir ce module dans les stages suivants :
INDUSTRONIC Niveau IV
GLOBALTRONIC Niveau V à IV
INTEGRAL Niveau VI à III
Contenu du module :
Particularité des transistors MOSFET. Le Drain, la source, la gate, le RdsON. Capacité de gate, fréquence de commutation, modèles à enrichissement et déplétion.
Tests et vérification du composant. Expériences. Brochage des mosfet. Caractéristiques et critères de choix.
Mise en parallèle et avantages sur les bipolaires : compensation thermique avec une symétrisation des montages.
IGBT : transistor hybride, avantages et inconvénients. Les pertes en commutation et en conduction. Datasheet en exemple.
Niveau de ce module = *********
Mots clés : mos, mosfet, fet, composant, commutation, sature, passant, bloque, amplifier, drain, gate, porte, source, grille, canal, n, p, depletion, enrichissement, rdson, rds, on, parallele, emballement, thermique, igbt, brochage, jonction, hybride, puissance


6 Modules pédagogiques connexes (Satellites) :
1/ Découpage : filtres | 2/ Dissipation thermique | 3/ Transistors bipolaires | 4/ Variateur CC | 5/ Onduleur, MLI | 6/ Moteur pas à pas |

2 Info+ intégrées au cours avec comme mots clés :
jonction, canal, mosfet, exces, champ, electrique, condesataur, isole, gate, drain, source || boitier, brochage, to3, to220, to39, to92, top3, circuit, data-sheet, 2N2222, npn, pnp, mos, triac, case, e, s, m, puissance ||
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